Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > GSID100A120T2C1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2393130

GSID100A120T2C1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6+
$134.922
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GSID100A120T2C1
  • Producent / marka
    SemiQ
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SILICON IGBT MODULES
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GSID100A120T2C1.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.1V @ 15V, 100A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Module
  • Seria
    Amp+™
  • Moc - Max
    640W
  • Package / Case
    Module
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C
  • Termistor NTC
    Yes
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    13.7nF @ 25V
  • Wkład
    Three Phase Bridge Rectifier
  • Rodzaj IGBT
    -
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    1mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    200A
  • Konfiguracja
    Three Phase Inverter

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GSID100A120T2C1”.
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Opis: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSIB6A40-E3/45

GSIB6A40-E3/45

Opis: DIODE 6A 400V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Opis: IGBT MODULE 1200V 170A

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Opis: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSIB6A20-E3/45

GSIB6A20-E3/45

Opis: BRIDGE RECT 200V 2.8A GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

Opis: BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Opis: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSIB6A20N-M3/45

GSIB6A20N-M3/45

Opis: BRIDGE RECT 6A 200V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Opis: IGBT MODULE 1200V 285A

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

Opis: IGBT MODULE 1200V 430A

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Opis: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Opis: IGBT MODULE 1200V 335A

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.