Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GP1M010A080H

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

158583

Obraz GP1M010A080H.

Global Power Technologies Group

GP1M010A080H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

GP1M010A080H
Producent / marka

SemiQ
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

GP1M010A080H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-220
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Strata mocy (max)

290W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-220-3
Inne nazwy

1560-1177-1
1560-1177-1-ND
1560-1177-5
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2336pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

53nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

800V
szczegółowy opis

N-Channel 800V 9.5A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „GP1M010A080H”.

GP1M009A070F

Opis: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M013A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M009A090N

Opis: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M015A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M011A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M010A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M011A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M009A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M011A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M013A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M011A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M010A080N

Opis: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M012A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M009A090H

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M009A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M009A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M009A090FH

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M010A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

GP1M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.