Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GP1M009A070F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3594751Obraz GP1M009A070F.Global Power Technologies Group

GP1M009A070F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GP1M009A070F
  • Producent / marka
    SemiQ
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GP1M009A070F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220F
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    52W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1944pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GP1M009A070F”.
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Opis: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Opis: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.