Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GA16JT17-247
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4116040Obraz GA16JT17-247.GeneSiC Semiconductor

GA16JT17-247

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GA16JT17-247
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GA16JT17-247.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    -
  • Technologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    110 mOhm @ 16A
  • Strata mocy (max)
    282W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    1242-1136
    GA16JT17247
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Rodzaj FET
    -
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1700V
  • szczegółowy opis
    1700V 16A (Tc) (90°C) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc) (90°C)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GA16JT17-247”.
GA1210Y824MXJAR31G

GA1210Y824MXJAR31G

Opis: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBAAT31G

GA1812A101FBAAT31G

Opis: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MXJAT31G

GA1210Y824MXJAT31G

Opis: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBBAR31G

GA1812A101FBBAR31G

Opis: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBGAT31G

GA1812A101FBGAT31G

Opis: CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBCAT31G

GA1812A101FBCAT31G

Opis: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBCAR31G

GA1812A101FBCAR31G

Opis: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA16B02

GA16B02

Opis: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 24-280V

Producenci: Crydom
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MBJAT31G

GA1210Y824MBJAT31G

Opis: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MBXAT31G

GA1210Y824MBXAT31G

Opis: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA15IDDJT22-FR4

GA15IDDJT22-FR4

Opis: BOARD GATE DRIVER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MXAAR31G

GA1210Y824MXAAR31G

Opis: CAP CER 0.82UF 50V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBGAR31G

GA1812A101FBGAR31G

Opis: CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBEAR31G

GA1812A101FBEAR31G

Opis: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MXXAT31G

GA1210Y824MXXAT31G

Opis: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MXAAT31G

GA1210Y824MXAAT31G

Opis: CAP CER 0.82UF 50V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1210Y824MXXAR31G

GA1210Y824MXXAR31G

Opis: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBBAT31G

GA1812A101FBBAT31G

Opis: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBEAT31G

GA1812A101FBEAT31G

Opis: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA1812A101FBAAR31G

GA1812A101FBAAR31G

Opis: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 1812

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.