Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > GA03JT12-247
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
797996Obraz GA03JT12-247.GeneSiC Semiconductor

GA03JT12-247

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GA03JT12-247
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GA03JT12-247.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    -
  • Technologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    460 mOhm @ 3A
  • Strata mocy (max)
    15W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    1242-1164
    GA03JT12247
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Rodzaj FET
    -
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc) (95°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GA03JT12-247”.
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Opis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Opis: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Opis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Opis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Opis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Opis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Opis: BOARD GATE DRIVER

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Opis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Opis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Opis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Opis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Opis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Opis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Opis: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
GA0381M

GA0381M

Opis: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

Producenci: CUI, Inc.
Na stanie
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Opis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Opis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Opis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Opis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Opis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.