Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > FR12JR02
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5389911Obraz FR12JR02.GeneSiC Semiconductor

FR12JR02

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
200+
$5.138
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FR12JR02
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FR12JR02.pdf
    2.FR12JR02.pdf
    3.FR12JR02.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    12A
  • Napięcie - Podział
    DO-4
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    1242-1212
    FR12JR02GN
    FR12JR02GN-ND
  • Temperatura pracy - złącze
    250ns
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    FR12JR02
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diode Configuration
    25µA @ 100V
  • Opis
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    800mV @ 12A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    600V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FR12JR02”.
FR12G02

FR12G02

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12G05

FR12G05

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12J02

FR12J02

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12DR02

FR12DR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12MR05

FR12MR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12M05

FR12M05

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12GR05

FR12GR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12KR05

FR12KR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12JR05

FR12JR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12DR05

FR12DR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12GR02

FR12GR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12TB12

FR12TB12

Opis: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
FR12D05

FR12D05

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12TB2412M

FR12TB2412M

Opis: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
FR12J05

FR12J05

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12TB12M

FR12TB12M

Opis: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
FR12TB2458

FR12TB2458

Opis: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
FR12TB2412

FR12TB2412

Opis: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
FR12D02

FR12D02

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FR12K05

FR12K05

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.