Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDMJ1032C
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1854487Obraz FDMJ1032C.Fairchild/ON Semiconductor

FDMJ1032C

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDMJ1032C
  • Producent / marka
    Fairchild (onsemi)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDMJ1032C.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    270pF @ 10V
  • Napięcie - Podział
    SC-75, MicroFET
  • VGS (th) (Max) @ Id
    90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Seria
    PowerTrench®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.2A, 2.5A
  • Moc - Max
    800mW
  • Polaryzacja
    6-WFDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    FDMJ1032CTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    FDMJ1032C
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3nC @ 4.5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.5V @ 250µA
  • Cecha FET
    N and P-Channel
  • Rozszerzony opis
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    Logic Level Gate
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20V

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDMJ1032C”.
FDMQ86530L

FDMQ86530L

Opis: MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF8811

FDMF8811

Opis: 100V SMART POWER STAGE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF8704V

FDMF8704V

Opis: IC MOD DVR/FET W/VREG 56MLP 8X8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS003N08C

FDMS003N08C

Opis: FET ENGR DEV-NOT REL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF8704

FDMF8704

Opis: IC MODULE DRIVER/FET 56MLP 8X8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMQ8205

FDMQ8205

Opis: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF8700

FDMF8700

Opis: IC MODULE DRIVER/FET POWER88-56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMJ1028N

FDMJ1028N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS004N08C

FDMS004N08C

Opis: MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMQ8205A

FDMQ8205A

Opis: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDML7610S

FDML7610S

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMQ8203

FDMQ8203

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMQ8403

FDMQ8403

Opis: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF8705

FDMF8705

Opis: IC MODULE DRIVER/FET POWER88-56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMJ1023PZ

FDMJ1023PZ

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF6840C

FDMF6840C

Opis: MODULE DRMOS 40QFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF6840C-F013

FDMF6840C-F013

Opis: DRMOS MODULE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0300S

FDMS0300S

Opis: MOSFET N-CH 30V 31A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS015N04B

FDMS015N04B

Opis: MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMJ1027P

FDMJ1027P

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.