Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCPF11N60NT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
260798Obraz FCPF11N60NT.Fairchild/ON Semiconductor

FCPF11N60NT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.80
10+
$3.409
100+
$2.793
500+
$2.378
1000+
$2.006
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCPF11N60NT
  • Producent / marka
    Fairchild (onsemi)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCPF11N60NT.pdf
  • Napięcie - Test
    1505pF @ 100V
  • Napięcie - Podział
    TO-220F
  • VGS (th) (Max) @ Id
    299 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    SuperMOS™
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10.8A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Numer części producenta
    FCPF11N60NT
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    35.6nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 600V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Stosunek pojemności
    32.1W (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCPF11N60NT”.
FCPF165N65S3L1

FCPF165N65S3L1

Opis: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF1300N80Z

FCPF1300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF1300N80ZYD

FCPF1300N80ZYD

Opis: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF125N65S3

FCPF125N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF13N60NT

FCPF13N60NT

Opis: MOSFET N-CH 600V 13A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF150N65F

FCPF150N65F

Opis: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPAPER5

FCPAPER5

Opis: POLISHING FILM

Producenci: HellermannTyton
Na stanie
RFQ
FCPF11N60_G

FCPF11N60_G

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPAPERSM

FCPAPERSM

Opis: POLISHING FILM DIAMOND

Producenci: HellermannTyton
Na stanie
RFQ
FCPF11N60T

FCPF11N60T

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF11N60

FCPF11N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF11N60F

FCPF11N60F

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP9N60N-F102

FCP9N60N-F102

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF11N65

FCPF11N65

Opis: MOSFET N-CH 650V 11A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF11N65_G

FCPF11N65_G

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPAPER1

FCPAPER1

Opis: POLISHING FILM

Producenci: HellermannTyton
Na stanie
RFQ
FCPF099N65S3

FCPF099N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCPF067N65S3

FCPF067N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP850N80Z

FCP850N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP9N60N

FCP9N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.