Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Izolatory > Izolatory - Sterowniki bramek > SI8261BAD-C-ISR

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2947283

Obraz SI8261BAD-C-ISR.

Energy Micro (Silicon Labs)

SI8261BAD-C-ISR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1000+

$1.65

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI8261BAD-C-ISR
Producent / marka

Energy Micro (Silicon Labs)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI8261BAD-C-ISR.pdf
Napięcie - Dostawa

6.5 V ~ 30 V
Napięcie - Izolacja

5000Vrms
Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)

2.8V (Max)
Technologia

Capacitive Coupling
Dostawca urządzeń Pakiet

6-SDIP
Seria

Automotive, AEC-Q100
Czas narastania / spadku (typ)

5.5ns, 8.5ns
Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.)

28ns
Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.)

60ns, 50ns
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Inne nazwy

336-5207-2
SI8261BAD-C-ISR-ND
temperatura robocza

-40°C ~ 125°C
Liczba kanałów

1
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

3 (168 Hours)
Standardowy czas oczekiwania producenta

6 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis

4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
Obecny - Szczytowa wydajność

4A
High Output, Niska - Bieżąca

500mA, 1.2A
Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)

30mA
Współczynnik przejściowy (min)

35kV/µs
Zatwierdzenia

CQC, CSA, UR, VDE

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8261BAD-C-ISR”.

SI8261BBD-C-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAD-C-IM

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAA-C-ISR

SI8261BAA-C-ISR

Opis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAD-C-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBC-C-IPR

SI8261BBC-C-IPR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBD-C-IMR

SI8261BBD-C-IMR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBA-C-IS

SI8261BBA-C-IS

Opis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBD-C-ISR

SI8261BBD-C-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBC-C-ISR

SI8261BBC-C-ISR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBC-C-IS

SI8261BBC-C-IS

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBC-C-IP

SI8261BBC-C-IP

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAC-C-IP

SI8261BAC-C-IP

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAC-C-IS

SI8261BAC-C-IS

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAA-C-IS

SI8261BAA-C-IS

Opis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAC-C-IPR

SI8261BAC-C-IPR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBA-C-ISR

SI8261BBA-C-ISR

Opis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261ACD-C-ISR

SI8261ACD-C-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAD-C-IMR

SI8261BAD-C-IMR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BBD-C-IM

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8261BAC-C-ISR

SI8261BAC-C-ISR

Opis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.