Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UH5JT-E3/4W
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3017408Obraz UH5JT-E3/4W.Electro-Films (EFI) / Vishay

UH5JT-E3/4W

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$0.52
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UH5JT-E3/4W
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    3V @ 5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AC
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    40ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    -
S1GL MTG

S1GL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MBRH20060

MBRH20060

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 200A D-67

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
R9G01012XX

R9G01012XX

Opis: DIODE MODULE 1KV 1200A DO200AB

Producenci: Powerex Inc.
Na stanie
SF3003PT C0G

SF3003PT C0G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 30A TO247AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MMSD459A

MMSD459A

Opis: DIODE GEN PURP SOD123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
CDBA340-HF

CDBA340-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RS3AHM6G

RS3AHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SB340

SB340

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
SS24LHRQG

SS24LHRQG

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SRAF840HC0G

SRAF840HC0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A ITO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH1PBHE3/84A

ESH1PBHE3/84A

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RGP30MHE3/73

RGP30MHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
CDLL0.2A40

CDLL0.2A40

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RU 2V

RU 2V

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
CD214A-B140R

CD214A-B140R

Opis: DIO SBD VRRM 40V 1A SMA

Producenci: Bourns, Inc.
Na stanie
SS15LHM2G

SS15LHM2G

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SS15L RQG

SS15L RQG

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SFF501GHC0G

SFF501GHC0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 5A ITO220AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
CDBA120LL-HF

CDBA120LL-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
SF3001PT C0G

SF3001PT C0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 30A TO247AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść