Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UGB5JT-E3/81
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
483104Obraz UGB5JT-E3/81.Electro-Films (EFI) / Vishay

UGB5JT-E3/81

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$0.874
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UGB5JT-E3/81
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.75V @ 5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263AB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount TO-263AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    30µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    5A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    UGB5J
UGB8BTHE3/81

UGB8BTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB8BT-E3/81

UGB8BT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB5HTHE3/81

UGB5HTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB8ATHE3/45

UGB8ATHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB5HT-E3/81

UGB5HT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB2/0-414-18

UGB2/0-414-18

Opis: 18 PORT UNIVERSAL GROUND BAR

Producenci: Panduit
Na stanie
UGB1H6R8KHM

UGB1H6R8KHM

Opis: CAP ALUM 6.8UF 10% 50V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
UGB8BTHE3/45

UGB8BTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB5JT-E3/45

UGB5JT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB3132AD

UGB3132AD

Opis: IC MOD DIODE 1PHASE BRIDGE UGB1

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
UGB8AT-E3/81

UGB8AT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB8ATHE3/81

UGB8ATHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB5JTHE3/81

UGB5JTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB2/0-414-6

UGB2/0-414-6

Opis: 6 PORT UNIVERSAL GROUND BAR

Producenci: Panduit
Na stanie
UGB5HTHE3/45

UGB5HTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB5JTHE3/45

UGB5JTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB8BT-E3/45

UGB8BT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UGB2/0-414-12

UGB2/0-414-12

Opis: 12 PORT UNIVERSAL GROUND BAR

Producenci: Panduit
Na stanie
UGB6124AG

UGB6124AG

Opis: IC MOD DIODE 1PHASE BRIDGE UGB1

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
UGB1H4R7KHM1TO

UGB1H4R7KHM1TO

Opis: CAP ALUM 4.7UF 20% 50V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść