Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > U3C-E3/57T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1683369Obraz U3C-E3/57T.Electro-Films (EFI) / Vishay

U3C-E3/57T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3400+
$0.225
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    U3C-E3/57T
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    900mV @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    150V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    20ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 150V 2A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 150V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    -
VS-8EWF12STRPBF

VS-8EWF12STRPBF

Opis: DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
U3C-M3/57T

U3C-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BYG20JHM3_A/H

BYG20JHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS2DHE3/5BT

RS2DHE3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-50SQ060GTR

VS-50SQ060GTR

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 5A AXIAL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
MBRB1090-M3/8W

MBRB1090-M3/8W

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4148UBCC

1N4148UBCC

Opis: SWITCHING DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
8EWS12STRL

8EWS12STRL

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
CMR1U-01 TR13

CMR1U-01 TR13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
CDBMT1100-HF

CDBMT1100-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123H

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
MBR340

MBR340

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4003GHR0G

1N4003GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
U3C-E3/9AT

U3C-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MA2C700A0F

MA2C700A0F

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA DO34

Producenci: Panasonic
Na stanie
EGP10CHM3/73

EGP10CHM3/73

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
FFPF08S60STTU

FFPF08S60STTU

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RU 1C

RU 1C

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
U3C-M3/9AT

U3C-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5820RL

1N5820RL

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
VS-VSKEU300/12PBF

VS-VSKEU300/12PBF

Opis: DIODE GP 1.2KV 375A INTAPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść