Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > U2C-E3/52T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6321402Obraz U2C-E3/52T.Electro-Films (EFI) / Vishay

U2C-E3/52T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4500+
$0.152
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    U2C-E3/52T
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    900mV @ 2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    150V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AA (SMB)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    27ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 150V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 150V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    -
SRP300C-E3/54

SRP300C-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SF28GTA

SF28GTA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
UF1BHR0G

UF1BHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SBM1040-13-F

SBM1040-13-F

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 10A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
BYG24JHM3/TR3

BYG24JHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
VS-1N1187RA

VS-1N1187RA

Opis: DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
MBRF1045-E3/45

MBRF1045-E3/45

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 10A ITO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1G-LTP

S1G-LTP

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1N5822RL

1N5822RL

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
SS34LHE-TP

SS34LHE-TP

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123HE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
10ETF12FP

10ETF12FP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
HS24230

HS24230

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 240A HALFPAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
U2C-E3/5BT

U2C-E3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
D921S45TXPSA1

D921S45TXPSA1

Opis: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
STPS0530Z

STPS0530Z

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
UF1AHR1G

UF1AHR1G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SR308-TP

SR308-TP

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MBRD340T4

MBRD340T4

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść