Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Kondensatory > Kondensatory tantalu > TH5E106K021A1000
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6168040Obraz TH5E106K021A1000.Electro-Films (EFI) / Vishay

TH5E106K021A1000

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TH5E106K021A1000
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    CAP TANT 10UF 21V 10% 2917
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TH5E106K021A1000.pdf
  • Napięcie - znamionowe
    21V
  • Rodzaj
    Molded
  • Tolerancja
    ±10%
  • Rozmiar / Wymiar
    0.287" L x 0.170" W (7.29mm x 4.32mm)
  • Seria
    TANTAMOUNT®, TH5
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    2917 (7343 Metric)
  • Inne nazwy
    718-1898-1
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 200°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producent Kod rozmiaru
    E
  • Żywotność @ Temp.
    -
  • Główny odstęp
    -
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Wysokość - Siedzą (Max)
    0.169" (4.30mm)
  • cechy
    High Reliability
  • Współczynnik awaryjności
    -
  • ESR (Equivalent Series Resistance)
    1 Ohm
  • szczegółowy opis
    10µF Molded Tantalum Capacitors 21V 2917 (7343 Metric) 1 Ohm
  • Pojemność
    10µF

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TH5E106K021A1000”.
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

Opis: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Opis: 4G SLC NAND BGA 24NM

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Opis: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Opis: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

Opis: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Opis: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Opis: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Opis: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Opis: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Opis: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Opis: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Opis: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Opis: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Opis: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Opis: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.