Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQJQ410EL-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5652396Obraz SQJQ410EL-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ410EL-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$1.397
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQJQ410EL-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQJQ410EL-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 8 x 8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    150W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    SQJQ410EL-T1_GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    14500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQJQ410EL-T1_GE3”.
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.