Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQJB40EP-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7009203Obraz SQJB40EP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJB40EP-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.29
10+
$1.146
100+
$0.905
500+
$0.702
1000+
$0.554
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQJB40EP-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQJB40EP-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 mOhm @ 8A, 10V
  • Moc - Max
    34W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Inne nazwy
    SQJB40EP-T1_GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1900pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQJB40EP-T1_GE3”.
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA92EP-T1_GE3

SQJA92EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 57A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA84EP-T1_GE3

SQJA84EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA86EP-T1_GE3

SQJA86EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA88EP-T1_GE3

SQJA88EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA94EP-T1_GE3

SQJA94EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.