Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQJ912BEP-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1452264Obraz SQJ912BEP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ912BEP-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.541
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQJ912BEP-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQJ912BEP-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11 mOhm @ 9A, 10V
  • Moc - Max
    48W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    SQJ912BEP-T1_GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQJ912BEP-T1_GE3”.
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 58A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 24A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 150V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.