Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQJ479EP-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1458249Obraz SQJ479EP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ479EP-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.34
10+
$1.185
100+
$0.937
500+
$0.726
1000+
$0.574
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQJ479EP-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQJ479EP-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    33 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    68W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SQJ479EP-T1_GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    80V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 80V 32A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQJ479EP-T1_GE3”.
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ500EPTR

SQJ500EPTR

Opis: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQJ500EP

SQJ500EP

Opis: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 30A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ476EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 23A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ486EP-T1_GE3

SQJ486EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 30A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

Opis: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ464EP-T1_GE3

SQJ464EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.