Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQD50P06-15L_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6971212Obraz SQD50P06-15L_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P06-15L_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$1.475
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQD50P06-15L_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQD50P06-15L_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252, (D-Pak)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    15.5 mOhm @ 17A, 10V
  • Strata mocy (max)
    136W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    SQD50P06-15L-GE3
    SQD50P06-15L-GE3-ND
    SQD50P06-15L_GE3-ND
    SQD50P06-15L_GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5910pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQD50P06-15L_GE3”.
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 50A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 50A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD70140EL_GE3

SQD70140EL_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Opis: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.