Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIS426DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1267374Obraz SIS426DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS426DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIS426DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIS426DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SIS426DN-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1570pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIS426DN-T1-GE3”.
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.