Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIS322DNT-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4210700Obraz SIS322DNT-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS322DNT-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.267
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIS322DNT-T1-GE3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +20V, -16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SIS322DNT-T1-GE3TR
    SIS322DNTT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1000pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    38.3A (Tc)
SIS03VE

SIS03VE

Opis: DC DC CONVERTER 3.3V 9W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS07VA

SIS07VA

Opis: DC DC CONVERTER 1.5V 10W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS07VB

SIS07VB

Opis: DC DC CONVERTER 1.8V 12W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS07VE

SIS07VE

Opis: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS03VD

SIS03VD

Opis: DC DC CONVERTER 2.5V 7W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS03VY

SIS03VY

Opis: DC DC CONVERTER 1.2V 3W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS07VD

SIS07VD

Opis: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

Producenci: Bel
Na stanie
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść