Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIRA10BDP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5333195

Obraz SIRA10BDP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA10BDP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.356

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIRA10BDP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHAN 30V
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (maks.)

+20V, -16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.6 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

5W (Ta), 43W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIRA10BDP-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

42 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1710pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

36.2nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 30A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

30A (Ta), 60A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIRA10BDP-T1-GE3”.

SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR928-6C-F

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Producenci: Everlight Electronics

Na stanie

SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.