Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR820DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4088086

SIR820DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.696
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIR820DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    SIR820DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    37.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3512pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 40A (Tc) 37.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR820DP-T1-GE3”.
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR846ADP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.