Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR624DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
424055Obraz SIR624DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR624DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.559
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIR624DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIR624DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    ThunderFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    60 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    52W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIR624DP-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1110pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    23nC @ 7.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 18.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    18.6A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR624DP-T1-GE3”.
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR484DP-T1-GE3

SIR484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR496DP-T1-GE3

SIR496DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.