Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR606BDP-T1-RE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6608844

Obraz SIR606BDP-T1-RE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR606BDP-T1-RE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.676

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIR606BDP-T1-RE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIR606BDP-T1-RE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ ID, Vgs

17.4 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

5W (Ta), 62.5W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIR606BDP-T1-RE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

32 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1470pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

30nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

N-Channel 100V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR606BDP-T1-RE3”.

SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR474DP-T1-RE3

SIR474DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR484DP-T1-GE3

SIR484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR496DP-T1-GE3

SIR496DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR472ADP-T1-GE3

SIR472ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR472DP-T1-GE3

SIR472DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR476DP-T1-GE3

SIR476DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR482DP-T1-GE3

SIR482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.