Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHP22N65E-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3030274Obraz SIHP22N65E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHP22N65E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$2.94
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHP22N65E-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SIHP22N65E-GE3.pdf
    2.SIHP22N65E-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Strata mocy (max)
    227W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    SIHP22N65E-GE3CT
    SIHP22N65E-GE3CT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2415pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHP22N65E-GE3”.
SIHP18N50C-E3

SIHP18N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP24N65E-GE3

SIHP24N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP24N65EF-GE3

SIHP24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP22N60AEL-GE3

SIHP22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP24N65E-E3

SIHP24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP22N60AE-GE3

SIHP22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N40D-E3

SIHP25N40D-E3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP22N60E-GE3

SIHP22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP18N60E-GE3

SIHP18N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP22N60E-E3

SIHP22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP22N60EL-GE3

SIHP22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP23N60E-GE3

SIHP23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.