Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIDR668DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2074005Obraz SIDR668DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIDR668DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.467
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIDR668DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIDR668DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8DC
  • Seria
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    6.25W (Ta), 125W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIDR668DP-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5400pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    108nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    23.2A (Ta), 95A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIDR668DP-T1-GE3”.
SIDV5545-20

SIDV5545-20

Opis: DISPLAY PROGRAMMABLE

Producenci: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Na stanie
RFQ
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDC73D170E6X1SA2

SIDC73D170E6X1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDR870ADP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 150V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDC81D120E6X1SA4

SIDC81D120E6X1SA4

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDEGIG-GUITAREVM

SIDEGIG-GUITAREVM

Opis: EVALUATION MODULE

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.