Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIB413DK-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2550146Obraz SIB413DK-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB413DK-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIB413DK-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIB413DK-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    75 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Inne nazwy
    SIB413DK-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    357pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.63nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIB413DK-T1-GE3”.
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Opis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Opis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.