Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI9926CDY-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6131583

SI9926CDY-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.612
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI9926CDY-T1-E3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI9926CDY-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • Moc - Max
    3.1W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI9926CDY-T1-E3-ND
    SI9926CDY-T1-E3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    27 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Podstawowy numer części
    SI9926

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI9926CDY-T1-E3”.
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Opis: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9730BBY-T1-E3

SI9730BBY-T1-E3

Opis: IC CONTROLLR LI-ION 4.25V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Opis: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Opis: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

Opis: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Opis: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

Opis: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Opis: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.