Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI8465DB-T2-E1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5555306Obraz SI8465DB-T2-E1.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8465DB-T2-E1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
1000+
$0.201
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI8465DB-T2-E1
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI8465DB-T2-E1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-Microfoot
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    780mW (Ta), 1.8W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Inne nazwy
    SI8465DB-T2-E1CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    46 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    450pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8465DB-T2-E1”.
SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8463AB-B-IS1

SI8463AB-B-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8463BA-A-IS1

SI8463BA-A-IS1

Opis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8473EDB-T1-E1

SI8473EDB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8463BB-A-IS1

SI8463BB-A-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8475EDB-T1-E1

SI8475EDB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8463BB-B-IS1R

SI8463BB-B-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8463BB-B-IS1

SI8463BB-B-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8463BA-B-IS1

SI8463BA-B-IS1

Opis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8463BA-A-IS1R

SI8463BA-A-IS1R

Opis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8463AB-B-IS1R

SI8463AB-B-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8463BB-A-IS1R

SI8463BB-A-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8463BA-B-IS1R

SI8463BA-B-IS1R

Opis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8472DB-T2-E1

SI8472DB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8481DB-T1-E1

SI8481DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8489EDB-T2-E1

SI8489EDB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.