Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI8429DB-T1-E1

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2882485

Obraz SI8429DB-T1-E1.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8429DB-T1-E1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.483

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI8429DB-T1-E1
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI8429DB-T1-E1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (maks.)

±5V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

4-Microfoot
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V
Strata mocy (max)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

4-XFBGA, CSPBGA
Inne nazwy

SI8429DB-T1-E1TR
SI8429DBT1E1
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1640pF @ 4V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

26nC @ 5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

8V
szczegółowy opis

P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

11.7A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8429DB-T1-E1”.

SI8423BB-D-ISR

SI8423BB-D-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430AB-D-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8423BB-D-IS

SI8423BB-D-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8424DB-T1-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8430AB-D-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430BB-C-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430AB-C-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430AB-C-IS1R

SI8430AB-C-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430-C-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8423BD-B-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8430AB-D-IS1R

SI8430AB-D-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8425DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8423BD-D-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430AB-D-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430-B-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8423BD-D-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8423BD-B-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8430-A-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8423BB-B-ISR

SI8423BB-B-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.