Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI8416DB-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4100675

SI8416DB-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI8416DB-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI8416DB-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±5V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-microfoot
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    6-UFBGA
  • Inne nazwy
    SI8416DB-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1470pF @ 4V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    8V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 8V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8416DB-T1-GE3”.
SI8420AB-D-ISR

SI8420AB-D-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8420AB-D-IS

SI8420AB-D-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8420AD-D-IS

SI8420AD-D-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8420AD-A-IS

SI8420AD-A-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8410BD-A-IS

SI8410BD-A-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8410BB-D-ISR

SI8410BB-D-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8420-B-IS

SI8420-B-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8410BB-D-IS

SI8410BB-D-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8410BD-D-IS

SI8410BD-D-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8410BD-D-ISR

SI8410BD-D-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8410AD-D-ISR

SI8410AD-D-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8420-A-IS

SI8420-A-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8415DB-T1-E1

SI8415DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI8410BD-A-ISR

SI8410BD-A-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8420AD-A-ISR

SI8420AD-A-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI8420-C-IS

SI8420-C-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.