Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI8406DB-T2-E1

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

7015894

Obraz SI8406DB-T2-E1.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8406DB-T2-E1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.25

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI8406DB-T2-E1
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI8406DB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (maks.)

±8V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

6-Micro Foot™ (1.5x1)
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

33 mOhm @ 1A, 4.5V
Strata mocy (max)

2.77W (Ta), 13W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-UFBGA
Inne nazwy

SI8406DB-T2-E1TR
SI8406DBT2E1
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

830pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

20nC @ 8V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

N-Channel 20V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI8406DB-T2-E1”.

SI8410-C-IS

SI8410-C-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8405AB-A-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405AA-B-IS1

Opis: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8407DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8405AB-B-IS1

Opis: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8410-A-IS

SI8410-A-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI840XI2C-KIT

Opis: KIT EVAL FOR SI840X

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405AA-A-IS1R

SI8405AA-A-IS1R

Opis: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405DB-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8410AB-D-IS

SI8410AB-D-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8409DB-T1-E1

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI8410AD-A-ISR

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8410AB-D-ISR

SI8410AB-D-ISR

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405AB-B-IS1R

SI8405AB-B-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405AA-B-IS1R

SI8405AA-B-IS1R

Opis: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8410-B-IS

SI8410-B-IS

Opis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405AB-A-IS1R

SI8405AB-A-IS1R

Opis: DGTL ISO 2.5KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8405AA-A-IS1

Opis: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI8410AD-A-IS

Opis: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.