Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7850DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1664288Obraz SI7850DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7850DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.826
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7850DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7850DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    22 mOhm @ 10.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.8W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SI7850DP-T1-GE3TR
    SI7850DPT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7850DP-T1-GE3”.
SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7858ADP-T1-GE3

SI7858ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7860ADP-T1-E3

SI7860ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7848BDP-T1-GE3

SI7848BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.