Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI6562CDQ-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2652836Obraz SI6562CDQ-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI6562CDQ-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.25
10+
$1.111
100+
$0.878
500+
$0.681
1000+
$0.538
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI6562CDQ-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-TSSOP
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • Moc - Max
    1.6W, 1.7W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Inne nazwy
    SI6562CDQ-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    850pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.7A, 6.1A
  • Podstawowy numer części
    SI6562

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI6562CDQ-T1-GE3”.
SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6924AEDQ-T1-E3

SI6924AEDQ-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6562DQ-T1-E3

SI6562DQ-T1-E3

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6466ADQ-T1-E3

SI6466ADQ-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6469DQ-T1-GE3

SI6469DQ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6544BDQ-T1-E3

SI6544BDQ-T1-E3

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6466ADQ-T1-GE3

SI6466ADQ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6469DQ-T1-E3

SI6469DQ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6467BDQ-T1-E3

SI6467BDQ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6925ADQ-T1-E3

SI6925ADQ-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6467BDQ-T1-GE3

SI6467BDQ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6926ADQ-T1-E3

SI6926ADQ-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6544BDQ-T1-GE3

SI6544BDQ-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6924AEDQ-T1-GE3

SI6924AEDQ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI6925ADQ-T1-GE3

SI6925ADQ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.