Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI5908DC-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2891965Obraz SI5908DC-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5908DC-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.644
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI5908DC-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI5908DC-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    1206-8 ChipFET™
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Moc - Max
    1.1W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    SI5908DC-T1-GE3TR
    SI5908DCT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    -
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.4A
  • Podstawowy numer części
    SI5908

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI5908DC-T1-GE3”.
SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5933CDC-T1-E3

SI5933CDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5903DC-T1-GE3

SI5903DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5913DC-T1-E3

SI5913DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5904DC-T1-E3

SI5904DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905DC-T1-GE3

SI5905DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5904DC-T1-GE3

SI5904DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5915DC-T1-GE3

SI5915DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5913DC-T1-GE3

SI5913DC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5920DC-T1-GE3

SI5920DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.