Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4953ADY-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2943897

SI4953ADY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI4953ADY-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI4953ADY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Dostawca urządzeń Pakiet

8-SO
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

53 mOhm @ 4.9A, 10V
Moc - Max

1.1W
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inne nazwy

SI4953ADY-T1-GE3CT
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

25nC @ 10V
Rodzaj FET

2 P-Channel (Dual)
Cecha FET

Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

3.7A
Podstawowy numer części

SI4953

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4953ADY-T1-GE3”.

SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4947ADY-T1-GE3

SI4947ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.