Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4931DY-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3304459

SI4931DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.47

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI4931DY-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI4931DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 350µA
Dostawca urządzeń Pakiet

8-SO
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Moc - Max

1.1W
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inne nazwy

SI4931DY-T1-GE3TR
SI4931DYT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

52nC @ 4.5V
Rodzaj FET

2 P-Channel (Dual)
Cecha FET

Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss)

12V
szczegółowy opis

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

6.7A
Podstawowy numer części

SI4931

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4931DY-T1-GE3”.

SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.