Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4909DY-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5418757

SI4909DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.483

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI4909DY-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI4909DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet

8-SO
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

27 mOhm @ 8A, 10V
Moc - Max

3.2W
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inne nazwy

SI4909DY-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2000pF @ 20V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

63nC @ 10V
Rodzaj FET

2 P-Channel (Dual)
Cecha FET

Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

8A

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4909DY-T1-GE3”.

SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.