Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4906DY-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6304806

SI4906DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI4906DY-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI4906DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet

8-SO
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

39 mOhm @ 5A, 10V
Moc - Max

3.1W
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inne nazwy

SI4906DY-T1-GE3TR
SI4906DYT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

625pF @ 20V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

22nC @ 10V
Rodzaj FET

2 N-Channel (Dual)
Cecha FET

Standard
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

6.6A
Podstawowy numer części

SI4906

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4906DY-T1-GE3”.

SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.