Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4814BDY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
871833

SI4814BDY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4814BDY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4814BDY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    LITTLE FOOT®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Moc - Max
    3.3W, 3.5W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    -
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A, 10.5A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4814BDY-T1-GE3”.
SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4820-A10-CU

SI4820-A10-CU

Opis: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4820-A10-CUR

SI4820-A10-CUR

Opis: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4822-A10-CU

SI4822-A10-CU

Opis: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4822-A10-CUR

SI4822-A10-CUR

Opis: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.