Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4666DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4296534

SI4666DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.367
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4666DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4666DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4666DY-T1-GE3TR
    SI4666DYT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1145pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    25V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 25V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16.5A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4666DY-T1-GE3”.
SI4683-A10-GM

SI4683-A10-GM

Opis: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Opis: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Opis: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Opis: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.