Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4477DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2206309

SI4477DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.676
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4477DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4477DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    3W (Ta), 6.6W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4477DY-T1-GE3-ND
    SI4477DY-T1-GE3TR
    SI4477DYT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4600pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    26.6A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4477DY-T1-GE3”.
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.