Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4435FDY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5564079

SI4435FDY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.62
10+
$0.483
100+
$0.332
500+
$0.227
1000+
$0.171
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4435FDY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4435FDY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    TrenchFET® Gen III
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    19 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    4.8W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4435FDY-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12.6A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4435FDY-T1-GE3”.
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Opis: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.