Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4386DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5571971

SI4386DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.535
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4386DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4386DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7 mOhm @ 16A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.47W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4386DY-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4386DY-T1-GE3”.
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4362BDY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4362-C2A-GMR

SI4362-C2A-GMR

Opis: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4378DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.