Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4320DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2722974

SI4320DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4320DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4320DY-T1-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 mOhm @ 25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6500pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4320DY-T1-GE3”.
SI4324DY-T1-E3

SI4324DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4313-B1-FM

SI4313-B1-FM

Opis: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Opis: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Opis: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4312-B10-GMR

SI4312-B10-GMR

Opis: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4313-B1-FMR

SI4313-B1-FMR

Opis: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4322-A0-FT

SI4322-A0-FT

Opis: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4322DY-T1-GE3

SI4322DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4330-B1-FM

SI4330-B1-FM

Opis: IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4322DY-T1-E3

SI4322DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4322-A0-FTR

SI4322-A0-FTR

Opis: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4324DY-T1-GE3

SI4324DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4322-A1-FT

SI4322-A1-FT

Opis: IC RCVR FSK 915MHZ 3.8V 16-TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4330-B1-FMR

SI4330-B1-FMR

Opis: IC RX ISM 240-960MHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4311-B21-GMR

SI4311-B21-GMR

Opis: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4320-J1-FTR

SI4320-J1-FTR

Opis: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4312-B10-GM

SI4312-B10-GM

Opis: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4320-J1-FT

SI4320-J1-FT

Opis: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4320DY-T1-E3

SI4320DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.