Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4186DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4520192

SI4186DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.564
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4186DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4186DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4186DY-T1-GE3-ND
    SI4186DY-T1-GE3TR
    SI4186DYT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    27 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3630pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 35.8A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4186DY-T1-GE3”.
SI4200-BM

SI4200-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Opis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Opis: BOARD EVAL FOR SI4200

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.