Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4114DY-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5243641

SI4114DY-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.854
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4114DY-T1-E3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4114DY-T1-E3-ND
    SI4114DY-T1-E3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3700pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
SI4113-D-GMR

SI4113-D-GMR

Opis: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4113-EVB

SI4113-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4114G-B-GM

SI4114G-B-GM

Opis: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4114G-BM

SI4114G-BM

Opis: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4113-BT

SI4113-BT

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Opis: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Opis: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4112-EVB

SI4112-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4113-D-GT

SI4113-D-GT

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Opis: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Opis: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Opis: BOARD EVAL SI4114G-BM

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4113-D-GTR

SI4113-D-GTR

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4122-BT

SI4122-BT

Opis: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść