Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI3127DV-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3797468Obraz SI3127DV-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3127DV-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.185
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI3127DV-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI3127DV-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    SI3127DV-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    833pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta), 13A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI3127DV-T1-GE3”.
SI3068-B-FTR

SI3068-B-FTR

Opis: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3134KL-TP

SI3134KL-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI3068-B-FT

SI3068-B-FT

Opis: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3069-A-FTR

SI3069-A-FTR

Opis: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3139KE-TP

SI3139KE-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI3066-B-FT

SI3066-B-FT

Opis: IC DAA ENH FCC LINE-SIDE 10SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3200-FS

SI3200-FS

Opis: IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3200-BS

SI3200-BS

Opis: IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3068-B-FS

SI3068-B-FS

Opis: IC FCC+ EMBEDDED DAA 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3073-F-FS

SI3073-F-FS

Opis: IC ENH GLOBAL LINE-SIDE 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3066-B-FTR

SI3066-B-FTR

Opis: IC DAA ENH FCC LINE-SIDE 10SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3134KE-TP

SI3134KE-TP

Opis: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI3139K-TP

SI3139K-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI3068-B-FSR

SI3068-B-FSR

Opis: IC FCC+ EMBEDDED DAA 8SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3200-G-FSR

SI3200-G-FSR

Opis: IC SLIC/CODEC 100V LINE 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3072-F-FS

SI3072-F-FS

Opis: IC ENH FCC+ LINE-SIDE 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3134K-TP

SI3134K-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI3200-G-FS

SI3200-G-FS

Opis: IC SLIC/CODEC 100V LINE 16SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3139KL-TP

SI3139KL-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI3069-A-FT

SI3069-A-FT

Opis: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.