Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI2300DS-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2584944

SI2300DS-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.16
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI2300DS-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI2300DS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    68 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SI2300DS-T1-GE3TR
    SI2300DST1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    320pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI2300DS-T1-GE3”.
SI21832-B60-GMR

SI21832-B60-GMR

Opis: RF DEMODULATOR IC 68QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2302-TP

SI2302-TP

Opis: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2185-A10-GM

SI2185-A10-GM

Opis: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2196-A10-GM

SI2196-A10-GM

Opis: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI21832-A50-GM

SI21832-A50-GM

Opis: IC DEMODULATORULATOR 68QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI21832-A55-GM

SI21832-A55-GM

Opis: IC DEMODULATOR ISDB-T 68QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2196-A10-GMR

SI2196-A10-GMR

Opis: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2302A-TP

SI2302A-TP

Opis: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI21832-B60-GM

SI21832-B60-GM

Opis: RF DEMODULATOR IC 68QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI21832-A55-GMR

SI21832-A55-GMR

Opis: IC DEMODULATOR ISDB-T 68QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2301-TP

SI2301-TP

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI21832-A50-GMR

SI21832-A50-GMR

Opis: IC DEMODULATORULATOR 68QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2185-A10-GMR

SI2185-A10-GMR

Opis: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.